В мае этого года руководство Samsung Electronics использовало визит президента США Джозефа Байдена (Joseph Biden) на одно из своих предприятий в Южной Корее, чтобы привлечь внимание общественности к факту наличия у компании кремниевых пластин с образцами 3-нм продукции. Высокопоставленный гость даже оставил автограф на одной из них. Теперь Samsung доложила о начале выпуска 3-нм продукции, в последний день квартала.
Подобная пунктуальность тоже была важна с идеологической точки зрения, ведь Samsung Electronics давно обещала, что к выпуску 3-нм продукции приступит именно во втором квартале 2022 года, а не во втором полугодии, как конкурирующая TSMC. Промедление в один день стоило бы корейскому гиганту важного маркетингового преимущества, поскольку второе полугодие начинается завтра. Теперь Samsung имеет формально право заявлять, что первой начала производство 3-нм продукции. Но при этом в пресс-релизе Samsung не идёт речи о крупносерийном производстве, что оставляет компании пространство для манёвра в плане объёмов выпуска 3-нм чипов.
Как известно, структура транзисторов в рамках 3-нм технологии Samsung претерпела серьёзные изменения. Помимо транзисторов с окружающим затвором (GAA), говорится о компоновке MBCFET и использовании наностраниц при формировании каналов транзистора. В совокупности, как поясняет Samsung, все эти меры позволяют снизить уровень энергопотребления на 45 % по сравнению с 5-нм техпроцессом, улучшить быстродействие транзисторов на 23 % и повысить плотность их размещения на 16 %. Приведённые показатели справедливы для первого поколения 3-нм продукции Samsung, во втором обещано снижение энергопотребления на 50 %, повышение производительности на 30 % и уменьшение занимаемой площади на 35 %.
Подчёркивается, что внедрение 3-нм техпроцесса начнётся с сегмента высокопроизводительных вычислений, и только потом он доберётся до мобильных компонентов. По крайней мере, если речь идёт о транзисторах с нанолистами, как поясняет Samsung Electronics в своём пресс-релизе. Напомним, TSMC рассчитывает приступить к массовому производству 3-нм продукции во втором полугодии, но выручку от её поставок начнёт получать лишь в первой половине следующего года. Кроме того, TSMC будет придерживаться более консервативной структуры транзисторов FinFET, приберегая компоновку GAA для 2-нм технологии.
По информации https://3dnews.ru/1069163/samsung-electronics-operedila-konkurentov-pristupiv-k-massovomu-proizvodstvu-3nm-komponentov
Обозрение "Terra & Comp".
