На конференции IEDM, прошедшей в Сан-Франциско, компании IBM и Samsung представили новую разработку, предусматривающую вертикальное размещение транзисторов в чипах. Технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) позволяет или заметно поднять производительность, или снизить энергопотребление чипа в сравнении с традиционными микросхемами сопоставимого размера.
В современных процессорах и чипсетах транзисторы наносятся на кремниевую пластину в горизонтальной плоскости. Наоборот, при использовании VTFET транзисторы расположены вертикально.
По данным разработчиков подобная разработка имеет два преимущества. Во-первых, обходятся многие ограничения, налагаемые на актуальные технологии «Законом Мура». Во-вторых, новый вариант дизайна ведёт к меньшим электрическим потерям благодаря более эффективному перенаправлению потока энергии. По оценкам компаний-разработчиков это позволит создавать чипы, которые или вдвое быстрее, или используют на 85 % меньше энергии, чем аналогичные полупроводники, создаваемые по технологии FinFET.
Как заявляют в IBM и Samsung, однажды использование такого техпроцесса позволит выпускать смартфоны, способные работать целую неделю без подзарядки и/или выполнять энергозатратные задачи, включая криптомайнинг, с меньшим расходом электроэнергии и меньшим уроном окружающей среде.
IBM и Samsung не сообщили, когда они намерены найти новому дизайну коммерческое применение. Это не единственные компании, пытающиеся преодолеть существующие ограничения. В июле Intel заявила о создании варианта компоновки транзисторов, позволяющего к 2024 году выйти за пределы наноуровня и строить чипы в соответствии с технологическим процессом ангстрем-класса Intel 20A с использованием транзисторов нового типа RibbonFET.
По информации https://3dnews.ru/1055801/novie-tranzistori-razrabotannie-ibm-i-samsung-pozvolyat-vipuskat-sverheffektivnie-mikrochipi?ext=subscribe&source=subscribeRu
Обозрение "Terra & Comp".
